Биполярный транзистор и его применение

Лекции по предмету «Физика»
Информация о работе
  • Тема: Биполярный транзистор и его применение
  • Количество скачиваний: 0
  • Тип: Лекции
  • Предмет: Физика
  • Количество страниц: 2
  • Язык работы: Русский язык
  • Дата загрузки: 2019-02-21 18:16:35
  • Размер файла: 19.58 кб
Помогла работа? Поделись ссылкой
Ссылка на страницу (выберите нужный вариант)
  • Биполярный транзистор и его применение [Электронный ресурс]. – URL: https://www.sesiya.ru/lekcii/fizika/1724-bipolyarnyy-tranzistor-i-ego-primenenie/ (дата обращения: 15.05.2021).
  • Биполярный транзистор и его применение // https://www.sesiya.ru/lekcii/fizika/1724-bipolyarnyy-tranzistor-i-ego-primenenie/.
Есть ненужная работа?

Добавь её на сайт, помоги студентам и школьникам выполнять работы самостоятельно

добавить работу
Обратиться за помощью в подготовке работы

Заполнение формы не обязывает Вас к заказу

Информация о документе

Документ предоставляется как есть, мы не несем ответственности, за правильность представленной в нём информации. Используя информацию для подготовки своей работы необходимо помнить, что текст работы может быть устаревшим, работа может не пройти проверку на заимствования.

Если Вы являетесь автором текста представленного на данной странице и не хотите чтобы он был размешён на нашем сайте напишите об этом перейдя по ссылке: «Правообладателям»

Можно ли скачать документ с работой

Да, скачать документ можно бесплатно, без регистрации перейдя по ссылке:

2


  1. Устройство биполярного плоскостного транзистора.

  • Изобретен в 1948 г американскими учеными У. Шокли, У. Браттейном, и Дж. Бардиным. 1956 г получили Нобелевскую премию по физике. Слово транзистор происходит от английских слов”transfer” –преобразователь и “resistor”- сопротивление.

  • Транзистор р – n – р типа.












Эмиттер база коллектор


  • 1 – кристалл кремния(германия) проводимостью n –типа(база) площадью 2-4 мм2 и толщиной 0,1 мм.

  • 2 – слой индия(р –типа) эмиттер.

  • 3 – слой индия(р-типа) коллектор.

  • Диаметр коллектора примерно в 2 раза больше диаметра эмиттера.


  • Толщина базы около 10 мкм и концентрация свободных электронов значительно меньше концентрации дырок в эмиттере и коллекторе.



  • условное обозначение транзистора

р – n – р типа на схемах


  • условное обозначение транзистора

npn типа на схемах


  1. Принцип действия транзистора.


  • При использовании транзистора в любой электронной схеме два его электрода служат для введения входного сигнала и два для выведения выходного сигнала. У транзистора только три электрода, поэтому один из них является общим для входной и выходной цепи.

  • Существуют три способа включения транзистора: с общей базой; с общим эмиттером ; с общим коллектором.

  • Транзистор может работать в импульсном режиме(режим отсечки) и усилительном(активном) режиме








1. Принцип действия транзистора р – n – р типа в схеме с общей базой в активном режиме.

В активном режиме в цепь эмиттер – база включают источник слабого входного переменного сигнала.

р n р

Iэ Iк



Uвход Uвыход

Iб R


+ - + -



о х






  • Эмиттерный переход (эмиттер – база) включен в прямом направлении.

  • Коллекторный переход( коллектор – база) включен в обратном направлении.

  • Сопротивление R в цепи коллектора не влияет на силу коллекторного тока и это сопротивление можно сделать достаточно большим(обычно несколько кОм).

  • Незначительные колебания входного напряжения вызывают значительные колебания эмиттерного и коллекторного токов.

  • На резисторе R возникают колебания напряжения , которые могут в десятки тысяч раз превышать колебания входного напряжения. Происходит усиление напряжения и мощности выходного сигнала!


  • При увеличении прямого входного напряжения уменьшается потенциальный барьер(уменьшается толщина запирающего слоя) эмиттерного перехода и дырки из эмиттера проникают в базу, создавая эмиттерный ток.

  • Поскольку толщина базы очень мала и число электронов незначительно, попавшие в базу дырки почти не рекомбинируют с электронами и свободно скатываются” в коллектор, создавая коллекторный ток.(Коллекторный переход закрыт для основных носителей базы - электронов. Дырки для базы– неосновные носители зарядов).

  • Небольшая часть дырок рекомбинирует с электронами, создавая небольшой ток базы.

  • Сила тока в цепи коллектора практически равна силе тока в цепи эмиттера, т.к. 99,9% дырок из базы переходят в коллектор!




2. Принцип действия транзистора р – n – р типа в импульсном режиме..


р n р

Iэ Iк Iк

+

Iб _ _____ _ _

+

_ +

- _ Iб

Iэ


+ -

  • Если на базе относительно эмиттера отрицательный потенциал, высота потенциального барьера эмиттерного перехода уменьшается. Дырки из эмиттера переходят в базу и далее в коллектор. Транзистор открыт. Через лампу идет ток.


  • Если поменять полярность источника тока в цепи эмиттера, то на базе относительно эмиттера будет положительный потенциал. Высота потенциального барьера эмиттерного перехода увеличивается. Транзистор закрыт. Ток через лампу не идет.


  • Использование двух источников не всегда целесообразно. Поэтому базовые и коллекторные цепи основной массы электронных конструкций питаются от одного источника, расположенного в коллекторной цепи. Напряжение на базу подается через базовый резистор!



Rб


- -

+ +
















Внимание! В транзисторе n – p – n типа электрический ток создается электронами. Из эмиттера электроны инжектируются(вводятся) в базу. Откуда они скатываются в коллектор. В схемах изменяется полярность подключения источников тока на противоположную по сравнению с транзистором р – n – р типа



III. Применение транзисторов.

  • Широкое применение в современной научной, промышленной и бытовой технике.

  • Транзисторы используют для усиления и генерации электрических колебаний.

  • Преимущества транзисторов по сравнению с радиолампами: потребляют меньшую мощность, высокий КПД, низкие напряжения, малые размеры.

  • Недостаток: большая чувствительность к повышению температуры.