s
Sesiya.ru

Электронной база

Информация о работе

Тема
Электронной база
Тип Курсовая работа
Предмет Электрика
Количество страниц 17
Язык работы Русский язык
Дата загрузки 2014-08-07 16:15:17
Размер файла 89.71 кб
Количество скачиваний 11

Узнать стоимость работы

Заполнение формы не обязывает Вас к заказу работы

Скачать файл с работой

Помогла работа? Поделись ссылкой

Содержание

Введение 3
1 Анализ схемы электрической принципиальной устройства 4
2 Описание принципа работы 6
2.1Характеристика пассивных радиоэлементов 8
2.2 Подбор пассивных радиоэлементов по группам 11
2.3 Характеристика активных радиоэлементов 13
2.4 Подбор активных радиоэлементов по группам 15
3 Подбор зарубежных аналогов 17
Выводы о проделанной работе 18
Список использованных источников 19
































Введение
Данная модель частотомера является очень малогабаритной поэтому его можно назвать «карманным». Кроме частоты он измеряет ее отклонение относительно зафиксированного значения и подсчитывает число импульсов. Прибор прост в повторении и содержит минимальное число радиоэлементов.















































1 Анализ схемы электрической принципиальной устройства
Схема малогабаритного частотомера включает в себя следующие
элементы:
 Микроконтроллер PIC12F629(DD1)
 Усилительный входной транзистор КТ3102А (VT1)
 Цифровой индикатор HT1610 (HG1)
 Гальванический элемент питания 8-9 В (GB1)

Рисунок 1.1 – Схема электрическая принципиальная

Базовый состав радиоэлементов:
 Постоянные резисторы R1,R2,R3,R4,R6,R7,R8,R9
 Подстроечные резисторы R5
 Конденсаторы постоянной емкости C1,C2,C3,C4,C6,C7,C8
 Подстроечный конденсатор С5
 Кварцевый резонатор ZQ1
 Микросхема LM2931Z-5.0
 Выключатель SA1
 Кнопка с возвратом SB1





2. Описание принципа работы.

Частотомер измеряет частоту сигнала в диапазоне 10Гц-50МГц со временем отсчета 0,1 с и 1 с с отклонением частоты +-10МГц а так же осуществляет счет импульсов с отображением интервала счета (до 99 с). Входное сопротивление составляет 50…100 Ом на частоте 50 МГц и увеличивается на несколько мегаом при низшей частоте измерения. Схема частотомера показан на рисунке 1. Основной элемент – микроконтроллер PIC12F629(DD1), работающий на кодовой программе. Измерение частоты осуществляется посредством подсчета числа импульсов за фиксированный временной интервал. Используются два интервала – 0,1 с и 1 с. В первом случае для получения частоты число импульсов умножается на 10, во втором – значение числа импульсов и частоты совпадают. Микроконтроллер содержит два таймера-счетчика (TMR0 и TMR1), первый из которых используется для счета импульсов, а второй – для отсчета временных интервалов. Благодаря встроенному асинхронному восьмиразрядному предделителю максимальная измеряемая частота сверху сверху ограничена только скоростью работы его триггеров и не зависит от тактовой частоты микроконтроллера. Однако содержимое предделителя невозможно считать программно, и для того чтобы его «извлечь», использован метод, описание которого приведено в статье Д. Яблокова и В. Ульриха «Частотомер на PIC-контроллере».
Усилитель входного сигнала собран на транзисторе VT1, с коллектора которого ипульсный сигнал поступает на вход T0CKI (вывод 5) микроконтроллера DD1. Для отображения информации применен цифровой индикатор HT1610 (HG1) со встроенным контроллером. При работе в режиме ведомого вход НК индикатора HG1 соединяют с общим проводом, а данные передаются последовательно 4-битными посылками по линиям DI и CLK. Ограниченное число линий ввода-вывода микроконтроллера DD1 не позволило выделить две из них для реализации штатного режима передачи данных, поэтому данные и синхроимпульсы пришлось передавать с выхода GP0 микроконтроллера DD1 через резистивные делители. На вход CLK индикатора HG1 импульсы поступают через делитель R7R9, а на вход DI – через интегрирующий делитель R6R8C8. Для передачи низкого логического уровня (логического 0) на выходе GP0 микроконтроллера DD1 формируется импульс напряжения длительностью 5
мкс. При этом конденсатор С8 зарядиться не успевает и по спаду импульса на входе DI в индикатор HG1 запишется логический 0. Для передачи логической 1 длительность импульса намного больше постоянной времени цепи R6R8C8, и конденсатор С8 успевает зарядиться до высокого логического уровня, поэтому будет записана логическая 1. Пауза между импульсами также должна быть более постоянной времени цепи R6R8C8, чтобы конденсатор С8 успел разрядиться полностью.
Питание частотомера осуществляется от гальванической или аккумуляторной батареи напряжением 8 – 9 В. Напряжение питания усилителя и микроконтроллера стабилизировано интегральным стабилизатором DA10. На индикатор HG1 питающее напряжение поступает с движка подстроечного резистора R5, оно должно находиться пределах 1,4…1,6 В.





После включения питания микроконтроллер выполняет программу измерения частоты со временем отсчета 0,1 с. При кратковременном нажатии на кнопу SB1 значение частоты фиксируется и микроконтроллер измеряет отклонение частоты от зафиксированного значения с последующим отображением этого отклонения на табло индикатора HG1. Повторное кратковременное нажатие на кнопку SB1 возвращает устройство в исходное состояние. Для перехода в режим измерения частоты и ее отклонения с временем отсчета 1 с следует нажать кнопку SB1 и удерживать ее не менее 2 с. Еще одно длительное нажатие на кнопку SB1 переводит устройство в режим счета импульсов. В этом режиме по коротким нажатиям на кнопку последовательно происходят запуск, остановка и обнуление счетчика и индикатора времени измерения.
Частота и ее отклонение отображаются на табло частотометра в герцах. При интервале измерения 0,1 с показания выглядят следующим образом: «1Fxxxxxxxx» для частоты или «1F-xxxxxxx» для отклонения частоты, где хххххххх – частота или ее изменение, а зна показывает на ее увеличение или уменьшение. При интервале измерения 1 с на первой позиции индикатора присутствует цифра 2. В режиме счета импульсов до старта на табло индикатора будут нули, в режиме счета – СС уууууу, где СС – время счета в секундах, уууууу – число импульсов. По окончании счета показания фиксируются.
Налаживание прибора сводится к регулировке точности измерения частоты. Для этого от образцового генератора подают непрерывный сигнал с частотой около 1 МГц, амплитудой 0,5 В и подстроечным конденсатором С5 добиваются совпадения показаний индикатора с частотой входного сигнала. Затем подборкой резистора R1 устанавливают максимальную чувствительность частотомера.

Базовый состав всех радиоэлементов:
 Резисторы:
• Постоянные: R1,R2,R3,R4,R6,R7,R8,R9 – МЛТ-0,125 Вт;
• Подстроечные: R5 – СП3-38б
 Конденсаторы:
• Постоянной емкости: C1,C2,C3,C4,C6,C7,C8
• Постоянной емкости, электролитические: C5 – К50-35-25 В.
 Транзисторы:
• Биполярные: VT1 – КТ3102А.
 Микросхемы: DA1 – LM2931Z-5.0
 Включатель: SA1 – Т1-220В-3,0А.
 Кнопка с возвратом: SB1



2.1 Характеристика пассивных радиоэлементов

Схема переносного частотомера включает в себя следующие пассивные элементы:
 Резисторы:
В данной схеме резисторы R1,R2,R3,R4,R6,R7,R8,R9 типа МЛТ – металло-пленочные, лакированные теплостойкие. Имеют номинальную мощность рас-сеивания – 0,125 – 2 Вт, и номинальное сопротивление от 820 Ом до 150 кОм.
Резисторы представляют собой радиоэлементы, обеспечивающие измене-ние таких параметров электрической цепи, как ток или напряжение на ее уча-стке. В зависимости от вида включения в цепи, они могут выполнять функции ограничения тока, шунта, делителя напряжения.
Существует деление резисторов на различные группы:
• По типу используемого материала;
• По номинальному значению сопротивления: постоянные и перемен-ные.
Каждый резистор характеризуется целым рядом параметров, основными из которых являются:
• Номинальное сопротивление (Ом, кОм, МОм);
• Допустимое отклонение сопротивления от значения, обозначенного на корпусе (допуск), в процентах;
• Номинальная мощность рассеивания (Вт);
• Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) – отклонение изменения сопротивления при изменении температуры на 1 0С;
• Допустимое приложение напряжения (В);
• Максимальная рабочая частота (МГц)
• Уровень шума (дБ)
• Диапазон рабочих температур, 0С.






Электрические характеристики резистора в значительной мере определя-ются типом материала, из которого он изготовлен, и его конструкцией.
Переменные резисторы по конструктивному исполнению разделяются на:
• Элементные и многоэлементные (сдвоенные, строенные, счетверенные);
• С круговым перемещением и прямоугольным перемещением подвижно-го контакта;
• Однооборотные и многооборотные;
• С выключателем и без выключателя;
• С упором и без упора;
• С фиксацией положения подвижной системы и без фиксации;
• С дополнительными отводами и без них.
Кроме основных параметров, присущих резисторам постоянного сопро-тивления, переменные резисторы характеризуются также такими, как полное минимальное сопротивления, начальный скачек сопротивления, износостой-кость, дополнительные контактные шумы. Самыми распространенными среди переменных непроволочных резисторов являются резисторы, с проводящим элементом на основе лакосажевых композиций (СП, СП3-6, СП3-9, СП3-16, СП323, СП-30 и др.).
В зависимости от назначения переменные резисторы делятся на подстро-ечные и регулировочные.
Подстроечный резистор R5, типа – СП3-38б номинальная мощность 1 Вт, и номинальным сопротивлением от 10 до 68 кОм.
Подстроечные резисторы рассчитаны на периодические подстройки аппа-ратуры, поэтому они обладают не высокой износостойкостью – до 1000 цик-лов перемещения подвижной системы резистора.








 Конденсаторы
В данной схеме конденсоры C1,C2,C3,C4,C6,C7,C8 (постоянной емкости) типа – К73-17. Полиэтилентерефталатные, номинальной емкостью от 0,01 до 1 мкФ.
Конденсатор C5 (электролитический) типа - К50-35. Оксидный алюминие-вый. Номинальная емкость от 1 до 100 мкФ. Рабочее напряжение 25 В.
Конденсатор представляет собой систему из двух проводников электриче-ского тока (обкладок), разделенных диэлектриком, которая обладает способ-ностью запасать электрическую энергию.
Электрические характеристики конденсатора определяются его конструк-цией и свойствами используемого диэлектрика. Основными параметрами кон-денсатов являются:
• Номинальная емкость (мкФ, нФ, пФ);
• Рабочее напряжение – максимальное значение напряжения, при котором конденсатор может работать длительно без изменения своих свойств;
• Допуск – возможный разброс значения емкости конденсатора;
• Температурный коэффициент емкости (ТКЕ) – зависимость изменения емкости конденсатора от температуры окружающей среды.















2.2 Подбор пассивных радиоэлементов по группам.

Тип Номинальная мощность рассеивания, Вт Номинальное сопротивление Допустимое отклонение сопротивления, % ТКС*10-4,
1/ оС Придельное рабочие напряжение, В Интервал рабочих температур, 0С Интенсив-ность отказа
λ 0 * 10 -6
I/ч
*МЛТ 0,125 1кОм…150кОм ±2; ±5; ±10 ± (7…16) 200 -60…+125 0,16
C2-33 0,125 1Ом…3Мом ±2; ±5; ±10 ± (7…16) 200 -60…+120 0,12
С2-23 0,125 24Ом…2МОм ±1; ±2; ±5 ± (7…16) 200 -60…+155 0,08
С1-4 0,125 10Ом…2МОм ±2; ±5; ±10 – (5…1) 250 -60…+125 0,18
*МЛТ 0,25 1кОм ±2; ±5; ±10 ± (7…16) 250 -60…+125 0,16
C2-33 0,25 1Ом…5,1Мом ±2; ±5; ±10 ± (7…16) 250 -60…+120 0,12
С2-23 0,25 24Ом…3МОм ±1; ±2; ±5 ± (7…16) 250 -60…+155 0,08
С1-4 0,25 10Ом…10МОм ±2; ±5; ±10 – (5…20) 350 -60…+125 0,18
*МЛТ 2 180Ом ±2; ±5; ±10 ± (7…16) 700 -60…+125 0,16
C2-33 2 1Ом…10Мом ±2; ±5; ±10 ± (7…16) 750 -60…+120 0,12
С2-23 2 24Ом…10МОм ±1; ±2; ±5 ± (7…16) 750 -60…+155 0,08
ВС 2 47Ом…10МОм ±5; ±10; ±20 – (5…20) 1000 -60…+125 0,18
*С5-16М 10 0,01Ом ±1; ±2; ±5 ± 1 1000 -60…+125 0,16
С5-16В 10 0,01Ом…5Ом ±0,1; ±0,2; ±0,5 ± 1 1000 -60…+125 0,18

Анализ данных, приведенных в таблице 2.1 показывает, что все эти ре-зисторы удовлетворяют требования к электрическим параметрам резисторов R1,R2,R3,R4,R6,R7,R8,R9. Однако резисторы типа С2-33 и С2-23 имеют меньшую интенсивность отказа. Поэтому выбираются именно эти резисторы.

Тип Номи-нальная мощность рассеива-ния, Вт Номинальное сопротивление Допустимое отклонение сопротивления, % ТКС*10-4,
1/ оС Придель-ное рабо-чие на-пряжение, В Интервал рабочих темпера-тур, 0С Интенсив-ность отказа
λ 0 * 10 -6
I/ч
*СП-1 1 22кОм ±10; ±20; ±30 ± 20 500 -60…125 0,22
СП2-2 1 47Ом…0,1Мом ±20 ± (10…20) 330 -60…125 0,16
СП2-5 1 10Ом…0,1Мом ±10; ±20 ± (5…20) 350 -60…125 0,14
СПО-1 1 47Ом…4,7Мом ±10; ±20 ± (10…20) 600 -60…125 0,30
*СП3-38б 0,125 10кОм…68кОм ±10; ±20 ± (10…20) 150 -60…125 0,12
РП1-63ГМ 0,125 68Ом…1МОм ±5; ±10 ± (5…10) 250 -60…125 0,18




Анализ данных, приведенных в таблице 2.2 показывает, что все эти резисторы удовлетворяют требования к электрическим параметрам резисторов R5. Од-нако резисторы типа СП-1, СП2-2, СП2-5 и СП3-38б имеют меньшую интен-сивность отказа. Поэтому выбираются именно эти резисторы.

Тип Номинальная емкость, мкФ Номи-нальное напряже-ние, В Допустимое отклонение емкости, % Тангенс угла потерь не более Интервал рабочих тем-ператур, 0С Интенсив-ность отказа
λ 0 * 10 -6
I/ч
*К73-17 0,01 630 ±5; ±10; ±20 0,015 -60…+125 0,075
К73-9 0,01…0,1 100 ±5; ±10; ±20 0,01 -60…+100 0,05
К71-5 0,01…1 160 ±2; ±5; ±10 0,015 -60…+85 0,05
К73-15 4700пФ…0,47мкФ 160 ±5; ±10; ±20 0,012 -60…+100 0,03
*К73-17 0,015 630 ±5; ±10; ±20 0,015 -60…+125 0,075
К73-9 0,01…0,1 100 ±5; ±10; ±20 0,01 -60…+100 0,05
К71-5 0,01…1 160 ±2; ±5; ±10 0,015 -60…+85 0,05
К73-15 4700пФ…0,47мкФ 160 ±5; ±10; ±20 0,012 -60…+100 0,03
*К73-17 0,1 250 ±5; ±10; ±20 0,015 -60…+125 0,075
К73-9 0,01…0,1 100 ±5; ±10; ±20 0,01 -60…+100 0,05
К71-5 0,01…1 160 ±2; ±5; ±10 0,015 -60…+85 0,05
К73-15 4700пФ…0,47мкФ 160 ±5; ±10; ±20 0,012 -60…+100 0,03
К73-17 1 63 ±5; ±10; ±20 0,015 -60…+125 0,075
К73-16 1 63 ±5; ±10; ±20 0,012 -60…+125 0,05
К73-11 1 63 ±5; ±10; ±20 0,015 -60…+125 0,05

Анализ данных, приведенных в таблице 2.3 показывает, что все эти кон-денсаторы удовлетворяют требования к электрическим параметрам конденса-торов C1,C2,C3,C4,C6,C7,C8. Однако конденсаторы типа К73-9, К73-16, име-ют меньшую интенсивность отказа. Поэтому выбираются именно эти конден-саторы.

Тип Номи-нальная емкость, мкФ Номинальное напряжение, В Допустимое от-клонение емкости, % Тангенс угла потерь, не более Интервал рабочих тем-ператур, 0С Интенсив-ность отказа
λ 0 * 10 -6
I/ч
*К50-35 1…100 25 -20…+80 15…40% -20…+70 0,035
К50-6 1…500 25 -20…+80 15…35% -10…+85 0,035
К50-16 2…1000 25 -20…+80 15…35% -10…+70 0,035
К50-16 0,5…500 100 -20…+80 15…35% -10…+85 0,035



Анализ данных, приведенных в таблице 2.4 показывает, что все эти электролитические конденсаторы удовлетворяют требования к электрическим параметрам конденсаторов С5. Однако конденсаторы типа К50-35, К50-6 и К50-15 имеют меньшую интенсивность отказа. Поэтому выбираются именно эти электролитические конденсаторы.

2.3 Характеристика активных радиоэлементов.
 Транзисторы
Транзистор — электропреобразовательный полупроводниковый при¬бор с одним или несколькими электрическими переходами, пригод¬ный для усиления мощности и имеющий три или более выводов.
В данной схеме биполярный транзистор VT1 – КТ3102А.
Биполярный транзистор — транзистор, в котором использу¬ются заряды носителей обеих полярностей. В отличие от полупро¬водниковых диодов бипо-лярные транзисторы имеют два электрон¬но-дырочных перехода. Основанием прибора служит пластина полу¬проводника, называемая базой. С двух сторон в нее вплавлена примесь, создающая области с проводимостью, отличной от про-во¬димости базы. Таким образом получают транзистор типа n-p-n, когда край-ние области являются полупроводниками с электронной проводимостью, а средняя— полупроводником с дырочной прово¬димостью, и транзистор типа p-n-p, когда крайние области яв¬ляются полупроводниками с дырочной проводи-мостью, а средняя — полупроводником с электронной проводимостью. Ниж-нюю область называют эмиттером, а верхнюю коллектором. На границах об-лас¬тей с различной проводимостью образуются два перехода. Переход, образо-ванный вблизи эмиттера, называют эмиттерным, вблизи кол¬лектора — коллек-торным. При использовании транзистора в схе¬мах на его переходы подают внешние напряжения.






В зависимости от полярности этих напряжений каждый из перехо¬дов может быть включен либо в прямом, либо в обратном направле¬нии.
Соответственно различают три режима работы транзистора: ре¬жим отсеч-ки, когда оба перехода заперты; режим насыщения, когда оба перехода отпер-ты; активный режим, когда эмиттерный переход частично отперт, а коллектор-ный заперт. Если же эмиттерный переход смещен в обратном направлении, а коллекторный — в прямом, то транзистор работает в обращенном (инверс-ном) включении.
В основном транзистор используют в активном режиме, где для смещения эмиттерного перехода в прямом направлении на базу транзистора типа p-n-p подают отрицательное напряжение отно¬сительно эмиттера, а коллектор сме-щают в обратном направлении подачей отрицательного напряжения относи-тельно эмиттера. Напря¬жение на коллекторе обычно в несколько раз больше напряжения на эмиттере.
Классификация. Транзисторы классифицируются по исходному материалу, рассеиваемой мощности, диапазону рабочих частот, прин¬ципу действия и т. д. В зависимости от исходного материала их делят на две группы: германиевые и кремниевые. Германиевые транзисторы работают в интервале тем¬ператур от –60 до +78... 85° С, крем¬ниевые — от –60 до + 120...150° С. По диапазону ра-бочих частот их делят на транзисторы низких, средних и высоких частот, по мощности — на классы тран¬зисторов малой, средней и большой мощности. Транзисторы малой мощнос¬ти делят на шесть групп: усилители низ¬ких и вы-соких частот, малошумящие усилители, переключатели насыщенный, ненасы-щенные и малотоковые (преры¬ватели); транзисторы большой мощнос¬ти — на три группы: усилители, гене¬раторы, переключатели. По технологи¬ческому признаку различают транзис¬торы сплавные, сплавно-диффузионные, диффу-зионно-сплавные, планарные, эпитаксиальные, конверсион¬ные, эпитакси-ально-планарные.





 Микросхемы
В данной схеме приведена полупроводниковая микросхема DA1 – LM2931Z-5.0 – линейный стабилизатор.
Микросхемы серий L4945, LM2930, LM2931 являются микросхемными стабилизаторами с фиксированным выходным напряжением и предназначены для использования в электронной аппаратуре широкого применения. Регули-рующий элемент стабилизаторов этих серий включен в плюсовой провод. Ха-рактерная особенность стабилизаторов – малое падение напряжения на регу-лирующем элементе.
Приборы выпускают в пластмассовом прямоугольном корпусе четырех конст-руктивных вариантов –ТО-251,ТО-252,ТО-220(по отечественной классифика-ции КТ-28-2),ТО-263. Все варианты снаб жены жесткими штампованными лужеными выводами, причем корпусы ТО-252 и ТО-263 рассчитаны на по-верхностный монтаж. У всех четырех вариантов корпуса предусмотрена теп-лоотводящая пластина. Цоколевка приборов (нумерация выводов слева на право если смотреть на корпус, расположенный выводами вниз, со стороны маркировки):1-вход; 2- общий; 3- выход. Ближайшие отечественные аналоги - серии КР1158 и КФ1158 (по 28 типоразмеров в каждой)
• Микроконтроллеры
В схеме содержится микроконтроллер PIC12F629 – 8-ми выводный высоко-производительный FLASH-микроконтроллер.

2.4 Подбор активных радиоэлементов по группам

Тип Статистический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмитером. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В Постоянное напряжение база-эмиттер, В Постоянный ток коллек-тора, мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт Интервал, рабочих температур, оС Интенсивность отказа
λ 0 * 10 -6
I/ч
* КТ3102А 50-350 35,0 6,0 100,0 150,0 -60…+125 0,12
КТ3102Б 200-500 50,0 5,0 100,0 250,0 -60…+125 0,5
КТ608Б 40-350 60,0 2,0 400,0 500,0 -60…+125 0,5




Анализ данных, приведенных в таблице 2.6 показывает, что все эти транзисторы удовлетворяют требования к электрическим параметрам транзи-стора VT1. Однако транзистор типа КТ3102А ниже по интенсивности отказа от предлагаемых аналогов. Поэтому выбираются именно этот вид транзистора.

Тип Функциональное назначение Интенсивность отказа
λ 0 * 10 -6
I/ч
* LM2931Z-5.0 Стабилизатор пост. тока 0,8
КР1158 Стабилизатор пост. тока 0,12
КФ1158 Стабилизатор пост. тока 0,18

Анализ данных, приведенных в таблице 2.2 показывает, что все эти мик-росхемы удовлетворяют требования к электрическим параметрам микросхе-мы LM2931Z-5.0. Однако микросхема LM2931Z-5.0 имеет меньшую интен-сивность отказа. Поэтому вбираем этот тип микросхемы.

Тип Функциональное назначение Интенсивность отказа
λ 0 * 10 -6
I/ч
PIC12F629 FLASH-контроллер 0,08
PIC12F629Е FLASH-контроллер 0,08
Таблица 2.3 - FLASH-контроллеры
Оба предлагаемых варианта контроллеров имеют одинаковые параметры и интенсивность отказа поэтому нет разницы в выборе варианта для использо-вания.












3 Подбор зарубежных аналогов

Позиционные обозна-чения Тип радиоэлемента Наименование Аналог
VT1 КТ3102А Транзистор КТ608Б
DA1 LM2931Z-5.0 Стабилизатор пост. тока КР1158
DD1 PIC12F629 FLASH-микроконтроллер PIC12F629Е
























Вывод о проделанной работе

Позиционное обозначение Тип по базовому варианту Общая интенсивность отказа (до замены)
λ 0 * 10 -6
I/ч Тип выбран-ного Р/Э Общая интенсив-ность отказа (по-сле замены)
λ 0 * 10 -6 I/ч Разность интен-сивности отказа
λ 0 * 10 -6
I/ч
R1,R2,R3,R4,R6R7,R8,R9 МЛТ 0,16 С2-23 0,08 +0,08
R5 СП-1 0,22 СП3-38Б 0,12 +0,1
C1,C2,C3,C4, C6,C7,C8 К73-17 0,75 К73-9 0,5 +0,25
С5 К50-35 0,035 К50-35 0,035 0
VT1 КТ3102А 0,12 КТ3102А 0,12 0
DA1 LM2931Z-5.0 0,08 КР1158 0,12 +0,04
DD1 PIC12F629 0,08 PIC12F629E 0,08 0
Итого 1,445 1,055 +0,39

В ходе проведения курсовой работы, я научился по справочным данным подбирать по параметрам аналоги различных радиоэлементов. И т.к. цель мо-ей курсовой работы является увеличить срок службы аппарата, то предлагая аналогичные по параметрам радиоэлементы мне удалось уменьшить интен-сивность отказа устройства на 0,39 λ0*10 -6 I/ч.
















Список используемых источников

 И. Котов «Малогабаритный частотомер» // «РАДИО» № 3, 2008

© Copyright 2012-2019, Все права защищены.